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1 プロダクト
モデル 価格 数量 株式 メーカー 説明 シリーズ 状態 包装 テクノロジー 作動温度 マウントタイプ パッケージ/ケース 供給装置パッケージ 電力散逸(MAX) FETタイプ FET機能 ドレイン−ソース間電圧(VDSS) 現在の-連続ドレイン ( max )@ id , vgs VGS ( th )( max )@ id ゲートチャージ(QG)マックス 入力キャパシタンス( CIS ) ドライブ電圧( max rds on , min rds on on ) VGS ( MAX )
IPB60R099CPAATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 CoolMOS™ Not For New Designs Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 255W (Tc) N-Channel - 600V 31A (Tc) 105 mOhm @ 18A, 10V 3.5V @ 1.2mA 80nC @ 10V 2800pF @ 100V 10V ±20V