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1 プロダクト
モデル 価格 数量 株式 メーカー 説明 シリーズ 状態 包装 テクノロジー 作動温度 マウントタイプ パッケージ/ケース 供給装置パッケージ 電力散逸(MAX) FETタイプ FET機能 ドレイン−ソース間電圧(VDSS) 現在の-連続ドレイン ( max )@ id , vgs VGS ( th )( max )@ id ゲートチャージ(QG)マックス 入力キャパシタンス( CIS ) ドライブ電圧( max rds on , min rds on on ) VGS ( MAX )
IPB65R660CFDAATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 62.5W (Tc) N-Channel - 650V 6A (Tc) 660 mOhm @ 3.2A, 10V 4.5V @ 200µA 20nC @ 10V 543pF @ 100V 10V ±20V