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電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
ハイサイドボルテージ :
6 プロダクト
モデル 価格 数量 株式 メーカー 説明 シリーズ 状態 包装 入力タイプ 作動温度 マウントタイプ パッケージ/ケース 供給装置パッケージ 電圧供給 チャンネルタイプ 駆動設定 運転者数 ゲートタイプ ロジック・ボルテージ 電流-ピーク出力(ソース、シンク) ハイサイドボルテージ 上昇/落下時間
IR2113-1PBF
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RFQ
1,342
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Infineon Technologies IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP - Obsolete Tube Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads 14-PDIP 3.3 V ~ 20 V Independent Half-Bridge 2 IGBT, N-Channel MOSFET 6V, 9.5V 2A, 2A 600V 25ns, 17ns
IR2112-1PBF
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2,992
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Infineon Technologies IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP - Obsolete Tube Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads 14-PDIP 10 V ~ 20 V Independent Half-Bridge 2 IGBT, N-Channel MOSFET 6V, 9.5V 250mA, 500mA 600V 80ns, 40ns
IR2110-1PBF
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3,723
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Infineon Technologies IC DRIVER HIGH/LOW SID 14DIP - Obsolete Tube Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads 14-PDIP 3.3 V ~ 20 V Independent Half-Bridge 2 IGBT, N-Channel MOSFET 6V, 9.5V 2A, 2A 500V 25ns, 17ns
IR2113-1
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624
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Infineon Technologies IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP - Obsolete Tube Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads 14-PDIP 3.3 V ~ 20 V Independent Half-Bridge 2 IGBT, N-Channel MOSFET 6V, 9.5V 2A, 2A 600V 25ns, 17ns
IR2112-1
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1,732
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Infineon Technologies IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP - Obsolete Tube Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads 14-PDIP 10 V ~ 20 V Independent Half-Bridge 2 IGBT, N-Channel MOSFET 6V, 9.5V 250mA, 500mA 600V 80ns, 40ns
IR2110-1
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2,535
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Infineon Technologies IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-DIP - Obsolete Tube Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads 14-PDIP 3.3 V ~ 20 V Independent Half-Bridge 2 IGBT, N-Channel MOSFET 6V, 9.5V 2A, 2A 500V 25ns, 17ns