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7 プロダクト
モデル 価格 数量 株式 メーカー 説明 シリーズ 状態 包装 入力タイプ 作動温度 マウントタイプ パッケージ/ケース 供給装置パッケージ 電圧供給 チャンネルタイプ 駆動設定 運転者数 ゲートタイプ ロジック・ボルテージ 電流-ピーク出力(ソース、シンク) ハイサイドボルテージ 上昇/落下時間
IR1166SPBF
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RFQ
1,198
在庫あり
Infineon Technologies IC REG CTLR SW 200V 8-SOIC SmartRectifier™ Obsolete Tube Non-Inverting -25°C ~ 125°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 11.4 V ~ 18 V Single Low-Side 1 N-Channel MOSFET 2V, 2.15V 1A, 4A - 21ns, 10ns
IR1166STRPBF
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RFQ
2,763
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Infineon Technologies IC MOSFET DRIVER N-CH 200V 8SOIC SmartRectifier™ Obsolete Digi-Reel® Non-Inverting -25°C ~ 125°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 11.4 V ~ 18 V Single Low-Side 1 N-Channel MOSFET 2V, 2.15V 1A, 4A - 21ns, 10ns
IR1166STRPBF
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RFQ
3,650
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Infineon Technologies IC MOSFET DRIVER N-CH 200V 8SOIC SmartRectifier™ Obsolete Cut Tape (CT) Non-Inverting -25°C ~ 125°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 11.4 V ~ 18 V Single Low-Side 1 N-Channel MOSFET 2V, 2.15V 1A, 4A - 21ns, 10ns
IR1166STRPBF
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3,387
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Infineon Technologies IC MOSFET DRIVER N-CH 200V 8SOIC SmartRectifier™ Obsolete Tape & Reel (TR) Non-Inverting -25°C ~ 125°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 11.4 V ~ 18 V Single Low-Side 1 N-Channel MOSFET 2V, 2.15V 1A, 4A - 21ns, 10ns
IR1167BSPBF
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1,470
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Infineon Technologies IC MOSFET DRIVER N-CHAN 8-SOIC SmartRectifier™ Obsolete Tube Non-Inverting -25°C ~ 125°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 12 V ~ 18 V Single Low-Side 1 N-Channel MOSFET 2V, 2.15V 2A, 7A - 18ns, 10ns
FZL4146GGEGHUMA1
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3,861
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Infineon Technologies IC DRIVER CIRCUIT QUAD PDSO-20-7 - Obsolete Tape & Reel (TR) Non-Inverting -25°C ~ 125°C (TJ) Surface Mount 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) P-DSO-20-7 4.5 V ~ 40 V Synchronous High-Side 4 P-Channel MOSFET 0.7V, 2.4V - - -
111-4095PBF
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RFQ
2,083
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Infineon Technologies IC MOSFET DRIVER N-CHAN 8-SOIC SmartRectifier™ Obsolete Tube Non-Inverting -25°C ~ 125°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 12 V ~ 18 V Single Low-Side 1 N-Channel MOSFET 2V, 2.15V 2A, 7A - 18ns, 10ns