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5 プロダクト
モデル 価格 数量 株式 メーカー 説明 シリーズ 状態 包装 入力タイプ 作動温度 マウントタイプ パッケージ/ケース 供給装置パッケージ 電圧供給 チャンネルタイプ 駆動設定 運転者数 ゲートタイプ 電流-ピーク出力(ソース、シンク) ハイサイドボルテージ 上昇/落下時間
SI9910DY-T1-E3
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RFQ
1,057
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Vishay Siliconix IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC - Obsolete Digi-Reel® Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 10.8 V ~ 16.5 V Single High-Side 1 N-Channel MOSFET 1A, 1A 500V 50ns, 35ns
SI9910DY-T1-E3
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RFQ
3,799
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Vishay Siliconix IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC - Obsolete Cut Tape (CT) Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 10.8 V ~ 16.5 V Single High-Side 1 N-Channel MOSFET 1A, 1A 500V 50ns, 35ns
SI9910DY-T1-E3
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RFQ
1,246
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Vishay Siliconix IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC - Obsolete Tape & Reel (TR) Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 10.8 V ~ 16.5 V Single High-Side 1 N-Channel MOSFET 1A, 1A 500V 50ns, 35ns
SI9910DY-E3
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RFQ
3,101
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Vishay Siliconix IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC - Obsolete Bulk Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 10.8 V ~ 16.5 V Single High-Side 1 N-Channel MOSFET 1A, 1A 500V 50ns, 35ns
SI9910DJ-E3
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3,377
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Vishay Siliconix IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP - Obsolete Tube Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-PDIP 10.8 V ~ 16.5 V Single High-Side 1 N-Channel MOSFET 1A, 1A 500V 50ns, 35ns