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7 プロダクト
モデル 価格 数量 株式 メーカー 説明 シリーズ 状態 包装 入力タイプ 作動温度 マウントタイプ パッケージ/ケース 供給装置パッケージ 電圧供給 チャンネルタイプ 駆動設定 運転者数 ゲートタイプ ロジック・ボルテージ 電流-ピーク出力(ソース、シンク) 上昇/落下時間
SN75452BPSRG4
ユニット
$0.30
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RFQ
3,016
在庫あり
Texas Instruments IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8SO - Active Tape & Reel (TR) Non-Inverting 0°C ~ 70°C (TA) Surface Mount 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 8-SO 4.75 V ~ 5.25 V Independent Low-Side 2 N-Channel, P-Channel MOSFET 0.8V, 2V 500mA, 500mA 5ns, 7ns
SN75452BPSRE4
ユニット
$0.30
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RFQ
1,522
在庫あり
Texas Instruments IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8SO - Active Tape & Reel (TR) Non-Inverting 0°C ~ 70°C (TA) Surface Mount 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 8-SO 4.75 V ~ 5.25 V Independent Low-Side 2 N-Channel, P-Channel MOSFET 0.8V, 2V 500mA, 500mA 5ns, 7ns
SN75452BPSR
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RFQ
701
在庫あり
Texas Instruments IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8SO - Active Digi-Reel® Non-Inverting 0°C ~ 70°C (TA) Surface Mount 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 8-SO 4.75 V ~ 5.25 V Independent Low-Side 2 N-Channel, P-Channel MOSFET 0.8V, 2V 500mA, 500mA 5ns, 7ns
SN75452BPSR
ユニット
$0.80
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RFQ
828
在庫あり
Texas Instruments IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8SO - Active Cut Tape (CT) Non-Inverting 0°C ~ 70°C (TA) Surface Mount 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 8-SO 4.75 V ~ 5.25 V Independent Low-Side 2 N-Channel, P-Channel MOSFET 0.8V, 2V 500mA, 500mA 5ns, 7ns
SN75452BPSR
ユニット
$0.30
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RFQ
2,959
在庫あり
Texas Instruments IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8SO - Active Tape & Reel (TR) Non-Inverting 0°C ~ 70°C (TA) Surface Mount 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 8-SO 4.75 V ~ 5.25 V Independent Low-Side 2 N-Channel, P-Channel MOSFET 0.8V, 2V 500mA, 500mA 5ns, 7ns
TC4422ESM
ユニット
$2.43
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RFQ
2,174
在庫あり
Microchip Technology IC MOSFET DVR 9A HS N-INV 8-SOIJ - Active Tube Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 8-SOIJ 4.5 V ~ 18 V Single Low-Side 1 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 0.8V, 2.4V 9A, 9A 60ns, 60ns
TC4422ESM713
ユニット
$2.43
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RFQ
3,981
在庫あり
Microchip Technology IC MOSFET DVR 9A HS N-INV 8-SOIJ - Active Tape & Reel (TR) Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 8-SOIJ 4.5 V ~ 18 V Single Low-Side 1 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 0.8V, 2.4V 9A, 9A 60ns, 60ns