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Minami Kaze Limited
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電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
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上昇/落下時間 :
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6 プロダクト
絵 モデル 価格 数量 株式 メーカー 説明 シリーズ 状態 包装 入力タイプ 作動温度 マウントタイプ パッケージ/ケース 供給装置パッケージ 電圧供給 チャンネルタイプ 駆動設定 運転者数 ゲートタイプ ロジック・ボルテージ 電流-ピーク出力(ソース、シンク) ハイサイドボルテージ 上昇/落下時間
IRS2118PBF
IRS2118PBF
ユニット
$2.76
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RFQ
1,261
在庫あり
 Infineon Technologies IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-DIP - Active Tube Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-DIP 10 V ~ 20 V Single High-Side 1 IGBT, N-Channel MOSFET 6V, 9.5V 290mA, 600mA 600V 75ns, 35ns
IR2118PBF
IR2118PBF
ユニット
$2.73
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RFQ
2,856
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 Infineon Technologies IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP - Active Tube Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-DIP 10 V ~ 20 V Single High-Side 1 IGBT, N-Channel MOSFET 6V, 9.5V 250mA, 500mA 600V 80ns, 40ns
IR2118
IR2118
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RFQ
783
在庫あり
 Infineon Technologies IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP - Obsolete Tube Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-DIP 10 V ~ 20 V Single High-Side 1 IGBT, N-Channel MOSFET 6V, 9.5V 250mA, 500mA 600V 80ns, 40ns
IRS2117PBF
IRS2117PBF
ユニット
$3.70
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RFQ
3,972
在庫あり
 Infineon Technologies IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-DIP - Active Tube Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-DIP 10 V ~ 20 V Single High-Side 1 IGBT, N-Channel MOSFET 6V, 9.5V 290mA, 600mA 600V 75ns, 35ns
IR2117PBF
IR2117PBF
ユニット
$2.73
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RFQ
3,934
在庫あり
 Infineon Technologies IC HIGH SIDE DRIVER SGL 8-DIP - Active Tube Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-DIP 10 V ~ 20 V Single High-Side 1 IGBT, N-Channel MOSFET 6V, 9.5V 250mA, 500mA 600V 80ns, 40ns
IR2117
IR2117
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RFQ
3,537
在庫あり
 Infineon Technologies IC MOSFET DRIVER SGL-CH 8-DIP - Obsolete Tube Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-DIP 10 V ~ 20 V Single High-Side 1 IGBT, N-Channel MOSFET 6V, 9.5V 250mA, 500mA 600V 80ns, 40ns
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